台积电(TSM.US)在北美技术论坛上宣布，2纳米制程在良品率和元件效能进展良好，将如期於2025年量产，并推出新3纳米技术；其中，强化版3纳米(N3P)制程预计明年下半年量产。 台积电称，相较於升级版3纳米(N3E)制程技术，2纳米在相同功耗下，速度最快将可增加15%；在相同速度下，功耗最多可降低30%，同时晶片密度增加逾15%。随着3纳米制程已进入量产，N3E制程预计於今年量产，台积电进一步推出更多3纳米技术以满足客户多样化的需求。 公司表示，强化版3纳米预计於明年下半年进入量产，相较於N3E制程，在相同功耗下，速度增快5%；在相同速度下，功耗降低5%至10%，晶片密度增加4%。 另外，台积电亦发布了3D芯片堆叠方案SoIC-P，最新版本的开放式标准设计语言3Dblox 1.5等。(ca/k) ~