本文來自格隆匯專欄：國泰君安證券研究，作者：樊致遠

存儲器行業觀點

價格端，存儲器價格已跌破歷史最低位置（當前DRAM價格距離最高點下跌超60%，部分料號現貨價與合約價已經出現倒掛），價格潛在下跌空間較小。供給端，原廠庫存開始減少，模組廠商庫存逐漸見底，主動去庫存效果明顯。

存儲器細分板塊觀點

需求端，服務器新世代CPU的推出和AI需求增加，將提升DDR5、HBM等高性能產品及高密度模組的需求。我們認為存儲價格有望逐漸接近下行週期底部，並看好2023年二三季度存儲板塊迎來止跌。

存儲器細分板塊觀點

根據IC Insights的數據，2021年DRAM在整個存儲市場的市場份額約為56%，Flash閃存的市場份額約為43%，其中NAND閃存為41%，NOR閃存為2%，其他存儲芯片（EEPROM、EPROM、ROM、SRAM）將會緩慢成長，但大幅搶佔市場的可能性較小。

2024年NAND市場規模有望達684億美元，隨着NAND原廠陸續縮減資本開支，NAND產能正在逐漸收斂，庫存去化正在進行。我們看好原廠和渠道的庫存水位或在23年Q2或Q3見頂，NAND價格出現彈性，2024年NAND市場有望實現復甦。

目前NAND行業形成了三星、海力士、Solidigm、美光、鎧俠、WDC六家公司同台競爭的格局，2022Q3的CR3達65%，CR6接近95%，隨着WDC與鎧俠的合併談判急速，我們預計未來行業集中度將進一步提高。美光、三星和海力士都有望在23年將產能轉進200層以上，Solidigm以及鎧俠/WDC將落後一世代的製程。3D NAND解決了2D結構下“閃存縮放限制”的問題，大容量、高堆疊層數的3D NAND 將是行業未來發展趨勢。

2023年全球DRAM市場規模有望達596億，DRAM廠商產能增加幅度收斂，DRAM廠商擴產計劃有所延後。數十年的大浪淘沙後，2022Q3 DRAM市場CR3超過95%，三星、海力士和美光分別佔比41%、29%和26%。DRAM可分為主流DRAM和利基型DRAM ，隨着國外大廠逐漸推出利基市場（三星21Q4停產DDR2，預計23年停產DDR3；海力士也計劃停產DDR3），國內廠商將迎來份額提升的機會。EUV和3D DRAM或成未來趨勢，從三大廠商的工藝製程上看，美光在製程上領先，三星在EUV的使用上領先。

2028年NOR Flash市場規模有望達61億美元，21-28年CAGR達14.4%，NOR Flash十年低迷期已過，新應用的普及打開向上成長曲線。NOR Flash憑藉接口簡單、輕薄、低功耗、系統總體成本更低、讀取速度快等特點成為5G、TWS藍牙耳機、AMOLED、IOT以及自動駕駛汽車等新應用的首選，NOR Flash和NAND Flash性能和定位不同，二者可互補而不可替代。NOR Flash市場經歷數次洗牌，海外廠商逐漸撤退，中國台灣和中國大陸廠商趁勢而起，2021年NOR Flash市場份額主要被華邦、旺宏和兆易創新所佔據，市佔率分別為35%、33%和23%。

我們測算得2026年HBM市場規模有望達56.9億，2022-2026年CAGR有望達52%。“3D堆疊+近存儲運算”突破內存容量與帶寬瓶頸，HBM成為處理大量數據和複雜處理要求的理想解決方案。根據TrendForce的數據，2022年三大原廠HBM市佔率分別為SK海力士約50%、三星約40%、美光約10%，隨着海力士在HBM3產品上的持續領先，預計海力士市佔率將繼續走高。

投資建議與估值

重點推薦：江波龍、兆易創新、瀾起科技、東芯股份、普冉股份。

風險提示 

海外市場陷入經濟衰退；存儲產品庫存持續增長；存儲價格持續下跌；美國加大對華半導體領域制裁。

注：本文來自國泰君安於2023年5月18日發佈的《電子樊志遠|半導體行業深度二：存儲拐點將至，新需求點亮曙光》，報吿分析師：樊志遠 S1130518070003

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