(2023年2月7日，香港)—宏光半導體有限公司(“宏光半導體”，連同其附屬公司統稱“集團”；股份代號：6908.HK)今天宣佈委任徐志宏博士(“徐博士”)為副主席兼執行董事；曹雨博士(“曹博士”)為行政總裁兼執行董事；及陳振博士(“陳博士”)為執行董事，自2023年2月6日起生效。是次任命預計將進一步加強集團第三代半導體業務。

徐博士曾出任招商永隆銀行有限公司董事總經理及中國工商銀行金融市場部總經理，具備豐富企業財務策劃經驗。他曾獲得國務院特殊津貼專家之榮譽，並曾出任中國人民銀行金融產品委員會委員及中國城市金融學會理事。徐博士亦曾於中潛股份有限公司(股份代號﹕300526.SZ)及大唐西市絲路投資控股有限公司(股份代號：0620.HK)擔任高級管理層之職位。

曹博士於2021年加入宏光半導體，為集團之間接附屬公司徐州金沙江半導體有限公司(“徐州金沙江”)以及間接全資附屬公司FastPower Inc.(“FastPower”)之工程副總裁。曹博士為化合物半導體業務的核心專家，在GaN、InN、AlN、GaAs、InP以及相關的三元和四元合金基電子以及光電器件的外延生長、表徵、器件設計及加工領域擁有逾20年半導體研究、開發及生產方面的成熟經驗，亦曾撰寫或合著4本書籍或書籍章節，申請12項專利，以及撰寫170多篇期刊及會議論文。他作為電氣和電子工程師協會(“IEEE”)的高級會員，其亦曾擔任IEEEEDS化合物半導體器件與電路委員會(由2019年至今)及IEEE高級會員申請評審小組(由2021年至今)的委員會成員、電化學學會(ECS)普通會員，以及電子和光子學部(EPD)執行委員會成員(由2021年至今)。曹博士為器件研究會議(2016-2018年)、國際氮化物半導體論壇(2018年)、萊斯特—伊士曼會議(2018年、2020年、2021年)、IEEE電子器件技術與製造(2021年、2022年)、電化學學會(ECS)會議(2019-2021年)的技術委員會成員及會議主2席，並曾於2016年獲得IEEE George E. Smith Award獎，同時身為15份著名研究期刊的特邀審稿人。

陳博士於2021年加入集團，為GaN半導體業務的核心專家，並擔任徐州金沙江的總經理。陳博士亦為FastPower的董事，在GaN基光電工程設備領域擁有超過20年的研發、生產及管理經驗。他掌握GaN電子器件及全波段固態發光器件的核心技術及8英寸矽基GaN外延生長的專有技術。陳博士曾擔任新加坡—麻省理工學院聯盟的研究員、南卡羅來納大學的博士後研究員及加州大學聖巴巴拉分校的副項目科學家，他於其中亦曾與諾貝爾獎得獎者中村修二教授及美國工程院院士Umesh Mishra教授一同工作，工作內容有關加州大學開發的GaN高電子遷移率晶體管的性能，並研究GaN基紫外線至可見光LED的設計、生長及表徵以及在高功率、高頻率電子方面的應用。陳博士亦曾於南昌晶能光電有限公司擔任核心管理及技術職務，並於其中參與矽襯底GaN的生產，該公司因此在2015年獲得中國國家科技創新獎一等獎。

陳博士曾於美國一家知名半導體公司擔任副總裁，於其中從事GaN基外置器件的研發及生產。他亦曾撰寫或合著3篇書籍章節、50多篇同行評議學術論文及20篇會議論文集。陳博士曾申請國內外專利逾30項，並獲授逾10項專利。他亦為IEEE光子學會的高級會員，併為IEEE電子器件協會的高級會員。陳博士目前的研究領域包括III—氮化物電子器件及波長從紅色到深紫外的光學器件。

根據集團與徐博士、曹博士及陳博士所訂立之服務協議，徐博士、曹博士及陳博士均已獲委任為執行董事，初步任期自2023年2月6日起為期三年，可於當時任期屆滿後翌日自動重續(每次續期一年)，惟須根據集團之組織章程細則及上市規則於股東周年大會上輪值退任及膺選連任。

宏光半導體管理層歡迎徐博士、曹博士及陳博士加入董事會。憑藉三位領軍人物的豐富經驗及專業知識，集團相信此舉將促進其第三代半導體GaN業務，並加快實現集團成為全產業鏈半導體整合設備生產模式(“IDM”)企業之目標，進一步引領集團邁向成功之路。同時，於中共中央政治局組織召開的第二次集體學習會議上，習近平主席強調必須加快科技自立自強步伐，解決外國“卡脖子”的問題。為響應國家政策，香港政府頒佈的香港創新科技發展藍圖中明確指出，政府將加強支援新能源汽車及半導體晶片等先進製造產業。因此，管理層相信，在國家及地方政府的支持下，將會有日益增加的良機湧現。繼行業專家加入集團後，集團預計將迎來新的高速發展階段。集團將繼續致力拓展業務，秉持着實現長期可持續性增長的終極目標，務求為股東帶來最佳回報。