6月28日周三美股盘后,存储器大厂美光公布截至今年6月1日的2023财年第三财季业绩。
具体财报显示:
美光科技三季度经调整营收37.5亿美元,高于市场预期的36.9亿美元,去年同期为86.4亿美元,同比下降57%;经营亏损14.7亿美元,低于市场预期的16.9亿美元;调整后利润率下滑16.1%,下滑幅度低于分析师预期的21.1%;每股亏损1.43美元,低于分析师预期的亏损1.59美元。
其中拆分营收来看,第三财季动态随机存取存储器(DRAM)贡献了71%的营收,闪存设备(NAND)则贡献了27%的收入。
对于Q4指引,公司预计第四财季调整后营收37亿-41亿美元,中值高于市场预期的38.7亿美元;预计第四财季利润率将下滑8%-13%,下滑幅度大于市场预期的2.79%。
美光科技总裁兼首席执行官桑贾伊•梅赫罗特拉(Sanjay Mehrotra)表示:
美光第三财季营收、毛利率和每股收益均高于指导区间的中点。存储器行业已经度过了收入低谷,预计随着行业供需平衡逐渐恢复,利润率将有所改善。中国国家互联网信息办公室(CAC)最近的决定是一个重大的阻力,正在影响我们的前景,减缓我们的复苏。长期而言,美光的技术领先地位、产品组合和 Operational excellence 将继续加强我们在多样化增长市场的竞争定位,包括人工智能和以内存为中心的计算。
美光科技表示,预计2023年的NAND bit产量将低于2022年;晶圆生产的减少将持续到2024年;继续预计财年资本支出将约为70亿美元,因此第四季度约为10亿美元。
财报公布后,美光科技盘后升3.01%,值得注意的是,今年以来,美光科技的股价累计升超34%,优于同期纳斯达克综合指数累计29.86%的升幅。
此外,据多家媒体报道,美光科技周三与印度政府签署了一份谅解备忘录,将在该国古吉拉特邦建立半导体工厂,为其第一家在印工厂
美光上周确认,公司将在印度古吉拉特邦投资高达8.25亿美元,建立新的芯片组装和测试设施,这是该公司在印度的首家工厂。
美光称,在印度中央政府和古吉拉特邦的支持下,该设施的总投资将达到27.5亿美元。其中50%将来自印度中央政府,20%来自古吉拉特邦。
报道称,印度内阁在总理莫迪对美国进行国事访问之前批准了该项目。