受日本出台半導體出口管制措施影響，今日半導體設備、光刻膠、存儲芯片等板塊表現不錯。

截至發稿，光刻膠板塊，容大感光20CM升停，格林達升停，南大光電、晶瑞電材升超8%。

半導體設備板塊，富樂德20CM升停，耐科裝備、華海清科升超8%，盛美上海、芯源微、長川科技、拓荊科技等跟升。

存儲芯片板塊，朗科科技觸及20CM升停，萬潤科技、睿能科技、恒爍股份升停，大為股份、江波龍升超6%。

日本限制半導體設備出口

5月23日，日本經濟產業省發佈省令，正式出台針對23種半導體制造設備（或物項）的出口管制措施，並將於7月23日開始實施。

雖然該管制措施並未把中國等指定為限制對象，但追加的23個品類除了向友好國等42個國家和地區出口外，均需要單獨得到批准。事實上，這意味着這些品類很難向中國等國家出口。

23個品類包括清洗、熱處理、蝕刻等設備，以及極紫外（EUV）相關產品的製造設備和三維堆疊存儲器的蝕刻設備等。按運算用邏輯半導體的性能來看，均屬於製造10-14納米以下的尖端產品所需設備。

據中信證券梳理，23種半導體制造設備（或物項）主要包括：

1）光刻（4項）：ArF浸沒式光刻機、用於EUV光刻的塗膠顯影設備、用於EUV光刻的光罩護膜（清單中唯一一種非設備品種，用於EUV光罩的配套）及其生產設備。其中EUV光刻機（僅荷蘭ASML提供）的採購國內長期受限，日本限制EUV配套產品沒有實質影響，而ArF浸沒式光刻機日本尼康有相關產品，未來需觀察許可實際發放情況。2）刻蝕（3項）：高深寬比刻蝕、硅鍺刻蝕等。3）薄膜沉積（11項）：用於鈷、鎢、鉬、釕等金屬薄膜、Contact層、Low-k等介質、掩膜版、硅和硅鍺外延等沉積的PVD/CVD/ALD/EPI薄膜沉積設備。4）熱處理（1項）：用於銅、鈷、鎢的低壓退火設備。5）清洗（3項）：銅膜清洗、幹法清洗、晶圓改性後乾燥的單片濕法清洗。6）檢測（1項）：EUV光刻掩膜版檢測設備。

其實早在今年3月，就有日本限制半導體出口的消息，如今算是正式落地了。

3月31日，日本經濟產業大臣西村康稔宣佈，日本將修訂出口管制令，包括先進的半導體制造設備在內的23種物品將被列入受出口管制的物品清單。

再加上此前荷蘭限制高端光刻機出口，可以説，自主安全對於中國半導體行業來説越發重要，國產替代勢在必行。

此外，日前，國家網信辦發佈公吿，美光在華銷售的產品未通過網絡安全審查。按照《網絡安全法》等法律法規，我國內關鍵信息基礎設施的運營者應停止採購美光公司產品。這在一定程度上也加速存儲芯片國產化。

國產替代加速

對於日本本次出台的政策，中信證券認為，本次出口限制主要針對先進半導體制造，否則若日本對華成熟芯片相關的半導體設備也實際施加限制，則將會影響日本相關設備公司的營收，長期削弱日本在半導體設備領域的份額優勢，同時中國本土技術生態鏈有望在重壓下加速本土替代。

從產業安全角度，中信證券建議，重點關注設備、零部件、材料、高端芯片等易“卡脖子”環節，有望獲得政策推動。短期來看，建議關注日本及荷蘭廠商佔有領先地位的、並能夠實現國產替代的設備/材料環節；長期來看，建議關注受益國產替代加速的設備、零部件、材料、高端芯片等各環節的相關公司。

1） 半導體設備/零部件：芯源微、中微公司、拓荊科技、北方華創、富創精密、盛美上海、華海清科、精測電子、至純科技、華峯測控、長川科技等；2）封測： 長電科技、通富微電、甬矽電子、華天科技等；3）高端芯片：龍芯中科、海光信息、寒武紀、景嘉微等；4）製造：中芯國際（A/H）、華虹半導體（H）等。

浙商證券認為，半導體產業鏈自主可控是長期主線，設備及零部件國產替代迎來加速期，並預計今年半導體行業資本開支上行，設備訂單有望超市場預期，國產設備獲得大規模驗證機會，國產化率有望加速提升。建議關注美日荷佔據領先地位且國產化率較低的環節，如塗膠顯影、原子層沉積、離子注入、量測設備等。