本文來自格隆匯專欄：中信證券研究，作者：徐濤 王子源

日本經濟產業省正式公吿針對高端半導體設備的出口管制措施，並將於7月開始實施，措施內容符合我們先前預期。主要影響為清單內的6大類23種高端半導體設備（或物項）未來對華出口需申請許可證。中國大陸為日本主要半導體設備廠商的重要收入來源地區之一，出口限制主要針對先進芯片製造，符合預期，否則若全面限制、日本半導體相關產業也會有較大沖擊。建議關注成熟製程擴產持續、先進製程國產替代力度有望加大背景下的半導體設備/零部件環節。

▍2023年5月23日，日本經濟產業省發佈省令，正式出台針對23種半導體制造設備（或物項）的出口管制措施，並將於7月23日開始實施。

該措施內容與3月31日的徵詢公眾意見稿基本一致，符合先前預期（可參考《電子行業半導體重大事項點評—日本限制半導體設備出口，持續看好半導體設備國產化機會》（2023-4-23））。

▍本次措施主要是增加了6大類23種管制物項，對華出口需申請許可。

在清單內的受管制物品在向中國大陸、俄羅斯等地區出口時，需要獲得日本經濟產業省的許可證。清單主要針對高端半導體制造設備，尤其是特別聚焦了ArF浸沒式光刻、EUV配套設備及部件、鈷/鎢等金屬沉積、高深寬比刻蝕和硅鍺刻蝕等技術指標較高、材料特殊、在先進製程有針對性應用的半導體設備品種，而光刻膠等日本優勢的半導體材料則未在限制行列之中。

▍具體這6大類23種半導體制造設備（或物項）主要包括：

1）光刻（4項）：ArF浸沒式光刻機、用於EUV光刻的塗膠顯影設備、用於EUV光刻的光罩護膜（清單中唯一一種非設備品種，用於EUV光罩的配套）及其生產設備。其中EUV光刻機（僅荷蘭ASML提供）的採購國內長期受限，日本限制EUV配套產品沒有實質影響，而ArF浸沒式光刻機日本尼康有相關產品，未來需觀察許可實際發放情況。

2）刻蝕（3項）：高深寬比刻蝕、硅鍺刻蝕等。

3）薄膜沉積（11項）：用於鈷、鎢、鉬、釕等金屬薄膜、Contact層、Low-k等介質、掩膜版、硅和硅鍺外延等沉積的PVD/CVD/ALD/EPI薄膜沉積設備。

4）熱處理（1項）：用於銅、鈷、鎢的低壓退火設備。

5）清洗（3項）：銅膜清洗、幹法清洗、晶圓改性後乾燥的單片濕法清洗。

6）檢測（1項）：EUV光刻掩膜版檢測設備。

物項清單雖未明確説明設備對應的製程節點，但技術指標、應用於具體材料和工藝的描述均具有較強的針對性，主要面向與先進製程相關的設備品種。

▍中國大陸為日本主要半導體設備廠商的重要收入來源地區之一，本次出口限制主要針對高端半導體制造，符合我們先前預期。

以日本半導體設備公司東京電子（TEL）、迪恩士（DNS）和尼康公司（Nikon）為例，三家公司2022年報（2021.4.1-2022.3.31）中國大陸客户營收佔比分別為28.3%、26.2%、28.4%，均為其最大收入來源地區。本次出口限制主要針對先進半導體制造，符合我們先前預期。否則若日本對華成熟芯片相關的半導體設備也實際施加限制，則將會影響日本相關設備公司的營收，長期削弱日本在半導體設備領域的份額優勢，同時中國本土技術生態鏈有望在重壓下加速本土替代。

▍風險因素：

後續對華半導體技術限制超預期風險；先進技術創新不及預期；國際產業環境變化和貿易摩擦加劇風險；先進製程技術變革風險；下游需求波動風險。

▍投資策略：

當下從產業安全角度，建議重點關注設備、零部件、材料、高端芯片等易“卡脖子”環節，有望獲得政策推動。短期來看，建議關注日本及荷蘭廠商佔有領先地位的、並能夠實現國產替代的設備/材料環節；長期來看，建議關注受益國產替代加速的設備、零部件、材料等各環節的相關公司。建議關注半導體設備/零部件公司。

注：本文節選自中信證券2023年5月24日發佈的《晨會》，報吿分析師：徐濤 S1010517080003 王子源S1010521090002