01 大盤

昨夜美股三大股指分化，中概股指升近4%。截至收盤，道指升 0.33%，納指跌 0.39%，標普跌 0.13%。美國十年國債收益率跌 1.078%，收報3.761%，相較兩年期國債收益率差19.4個基點。恐慌指數VIX升 10.34%至16.96，布倫特原油收升 1.43%。現貨黃金昨日跌 0.78%，報2651.53美元/盎司。美元指數昨日跌 0.14%，報100.42。

美國8月核心PCE年率小幅回升至2.7%，核心PCE月率回落至0.1%。利率期貨交易員認為，11月份美聯儲降息50個基點的可能性略高於降息25個基點的可能性。石破茂贏得日本執政黨領導人選舉，將成為日本下一任首相。據日本自民黨新總裁石破茂：如有必要，將實施財政刺激措施。寬鬆貨幣政策的趨勢不會改變。據以色列總理內塔尼亞胡：以色列軍方已擊斃或捕獲超過哈馬斯戰士的一半，摧毀了90%的哈馬斯火箭彈武器庫；將繼續打擊真主黨，直到實現所有目標。

02 行業&個股

行業板塊方面，除半導體、科技、原料和醫療分別收跌1.59%、0.93%、0.18%和0.05%外，其他標普7大板塊悉數收升：能源、公用事業、通訊、金融、日常消費、工業和房地產分別收升2.04%、0.99%、0.6%、0.29%、0.18%、0.14%和0.14%。

概念板塊方面，航空ETF升0.19%%，旅行服務板塊升0.09%，高端酒店萬豪升0.93%，愛彼迎跌0.77%，挪威郵輪跌0.62%。太陽能板塊升1.18%。金融科技板塊方面，PayPal收跌2.75%，NU升0.36%。網絡安全板塊升0.17%，SQ升0.68%。

中概股多數收升，KWEB升3.92%，台積電跌 4.74%，阿里升 2.15%，拼多多升 4.62%，京東升 5.03%，理想升 1.62%，蔚來升 12.8%，小鵬升 9%，新東方升 3.45%，富途升 5.17%，B站升8.68%，瑞幸咖啡跌 1.03%，好未來升 5.06%，名創優品升 11.02%。

大型科技股升跌互現。蘋果收升 0.12%，微軟跌 0.76%，英偉達跌 2.13%，谷歌升 0.89%，亞馬遜跌 1.67%，Meta跌 0.08%， 禮來跌 3.47%，特斯拉升 2.45%，博通跌 3.03%，沃爾瑪跌 0.18%，諾和諾德跌 2.85%。ARM跌2.4%，INTC跌0.04%，據一位知情人士透露，Arm曾與英特爾接洽，希望收購這家陷入困境的芯片製造商的產品部門，但被吿知該業務不可出售。據英國《金融時報》：英特爾和美國政府力爭在年底前最終敲定85億美元的芯片融資。

03 每日焦點

1、對沖基金傳奇人物泰珀：全面掃入中國股票

9.27 著名對沖基金經理泰珀(David Tepper)接受CNBC訪問時表示，美國減息令中國有空間放寬政策，但支持經濟力度出乎預期，令整體形勢有變，已全面買入大型科技股阿里巴巴和百度集團等中國股票。他又説，如果中資股回調，他更可能將中國股票佔投資的比例上限，由10%或15%，增至20%或30%。

2、機構：《黑神話：悟空》Steam平台總收入超過10億美元

9.27 根據市場研究機構VG Insights最新數據，《黑神話：悟空》在Steam平台銷量已達2090萬套，總收入超過10億美元。

3、大眾汽車下調全年交付量預期

9.28 大眾汽車預計全年交付量900萬輛，分析師預期810萬；預計全年運營利潤將達到約180億歐元；預計全年銷售收入大約3200億歐元；預計全年汽車部門淨現金流20億歐元，公司原本預計25億-45億歐元；預計全年銷售運營回報率（ROS）為5.6%，分析師預期6.51%，公司原本預計6.5%-7.0%。

4、消息稱三星擬引進新設備提高HBM良率

9.27 據韓國業內人士稱，三星電子已訂購可將HBM所需DRAM芯片質量分為最多三個級別的設備（分選機），這是半導體行業首次嘗試在製作HBM之前檢查和劃分DRAM，三星電子引入這一額外選擇流程的主要原因是為客户提供定製化HBM，同時還能提高良率和生產速度。

HBM通過垂直堆疊DRAM製造而成。在前工序中製作DRAM晶圓時，會經過將其切割成芯片的過程，然後進行鍵合以堆疊芯片。在這兩個過程之間引入新設備，在電特性測試（EDS）後根據芯片性能將DRAM芯片分為最多三個級別：S級、A級、B級。

由於HBM規格可以細分，因此可以為NVIDIA等優先考慮性能的公司提供S級HBM，為對價格敏感的客户提供B級HBM。

此前，芯片篩選和堆疊工作是在鍵合設備內完成的。即使芯片是由同一片晶圓製成的，鍵合設備也會堆疊符合良好質量標準的芯片，並過濾掉不符合良好質量標準的芯片，並將其被丟棄。在這種情況下，即使是合格的芯片，由於質量不一，實際上也不可能製造出性能最高的HBM，性能較低的芯片則全部被丟棄。

新設備在提高良率和生產速度方面也很有效。新設備能夠將精選的芯片垂直安裝在載體上，因此在切割過程中產生的顆粒可以被輕鬆去除，這些顆粒是降低DRAM堆疊良率的主要原因；芯片篩選和異物去除分別進行，由此可以提高鍵合工藝的速度。此前由於擔心在鍵合機內出現異物，放置和堆疊芯片的工藝不得不相對緩慢地進行，但新設備解決了這一問題。

預計新設備將於明年交付給三星電子，新工藝將逐步導入。

5、SK海力士、美光均已量產12層HBM3E

9.27 SK海力士宣佈量產12層HBM3E新品，實現了現有HBM產品中最大的36GB容量。該產品堆疊12顆3GB DRAM芯片，實現與現有的8層產品相同的厚度，同時容量提升50%。運行速度提高至9.6Gbps，這是在以搭載四個HBM的單個GPU運行大型語言模型（LLM）‘Llama 3 70B’時，每秒可讀取35次700億個整體參數的水平。SK海力士將在年內向客户提供12層HBM3E。

除SK海力士外，其他HBM廠商也在積極推動HBM產品研發及生產。美光在其最新財報中表示，已從第四財季(2024年6-8月)開始向主要行業合作伙伴交付可量產的12層HBM3E（36GB），預計將在2025年初提高12層HBM3E產量，並在2025年全年增加該產品出貨。三星12層HBM3E芯片也已完成量產準備，計劃於今年下半年開始供貨。

HBM產能方面，據CFM閃存市場數據顯示，預計至2024年底，三星、SK海力士和美光合計達到30萬片的HBM月產能，其中三星HBM增產最為激進。預計明年全球HBM市場規模將上望300億美元，HBM將佔DRAM晶圓產能約15%至20%。