本文來自格隆匯專欄：半導體行業觀察，作者：杜芹

全球前十大專屬代工廠商主要有台積電、聯電、格芯、中芯國際、華虹集團、力積電、Tower、世界先進、東部高科、穩懋。據我們不完全統計，這十家代工廠商共計在全球約擁有60座晶圓廠。

根據各晶圓代工廠商公開數據整理

（製表：半導體行業觀察）

台積電（TSMC）

台積電目前在台灣擁有四座12英寸超大晶圓廠、四座8英寸晶圓廠和一座6英寸晶圓廠，還有一座台積電（南京）有限公司的12英寸晶圓廠，同時，還有2家100%持股的WaferTech美國子公司、台積電（中國）有限公司的8英寸晶圓廠產能支援。

台積電四座12英寸超大晶圓廠分別是，位於台灣新竹的Fab 12A/Fab 12B、位於台南科學園的Fab 14、中部科學園的Fab 15、位於台南科學園的Fab18。據台積電2021年財報中的數據，1999年台積電首座全規模12英寸晶圓廠Fab 12在新竹科學園興建；2004年，Fab 14第一期開始量產；2011年，Fab 15一期開始量產；2020年，Fab 18第一期、第二期開始量產。

以上這四座超大晶圓廠的總產能已超過1,000萬片十二英寸晶圓。目前提供0.13微米、90納米、65納米、40納米、28納米、20納米、16納米、10納米、7納米和5納米全世代，以及其半世代設計的製程技術。3納米於晶圓十八廠進行風險試產，預計於2022年下半年量產。此外，為提供更先進的製造技術，亦在Fab 12建置部分產能作為研發用途，以支援2納米及更先進製程的技術發展。

此外，台積電南京的12英寸晶圓廠Fab 16於2018年開始量產。2021年，台積電及其子公司所擁有及管理的年產能超過1,300萬片十二英寸晶圓約當量。

8英寸晶圓廠分別是，新竹科學園的Fab 3、Fab 5、Fab 8，台南科學園的Fab 6（於2000年開始量產），位於上海松江區的Fab 10，還有位於美國紐約的WaferTech LLC的Fab 11。其中1993年台積電第一座8英寸晶圓廠Fab 3開始興建。1997年Fab 5開始量產。2000年Fab 6開始量產。

台積電還有一座6英寸晶圓廠是位於台灣新竹科學園的Fab 2，於1992年開始量產。

聯電（UMC）

聯電在亞洲擁有12家晶圓廠。其中包括4家12英寸晶圓廠，分別是Fab 12A、Fab 12i、Fab 12X、Fab 12M；7家8英寸晶圓廠，Fab 8A、Fab 8C、Fab 8D、Fab 8E、Fab 8F、Fab 8S、Fab 8N；1座6英寸晶圓廠，子公司聯穎光電（Wavetek）六英寸砷化鎵晶圓廠。

12英寸晶圓廠的分佈情況為：位於台灣台南Fab 12A自2002年以來一直在為客户產品量產，目前正在生產0.13μm- 14nm的產品，月產能為87,000片。Fab 12i位於新加坡，該工廠是公司的專業技術中心，生產工藝在0.13μm-40nm，月產能45,000片。Fab 12X 位於廈門，是華南地區第一家12英寸晶圓代工廠，於2016年開始量產，主要生產工藝為40nm - 22nm的晶圓，月產能5萬片。Fab 12M位於日本，是聯電從日本富士通半導體公司收購而來，2019年10月被聯電完全收購，生產0.13μm-40nm的產品，月產能33,000片。

8英寸晶圓廠的分佈情況：Fab 8A位於台灣新竹，生產工藝為0.6μm - 0.18μm，月產能為7萬片。Fab 8C的生產工藝為0.35μm-0.11μm，月產能29,000片。Fab 8D主要生產工藝0.18μm - 90nm，月產能32,000片。Fab 8E為0.6μm-0.15μm，月產能35,000片。Fab 8F生產工藝為0.18μm - 0.11μm，月產能32,000片。Fab 8S的生產工藝為0.25μm - 0.11μm，月產能25,000片。Fab 8N是聯電旗下子公司蘇州和艦的廠區，工藝為0.5μm - 0.11μm，月產能5萬片。

聯電子公司聯穎光電座落於台灣新竹科學園區，是一座六英寸砷化鎵純晶圓代工服務公司。提供III-V族及CMOS specialty業界最完整廣泛產品組合的6英寸晶圓代工服務，月產能5萬片，生產工藝為5μm - 0.25μm。

格芯（GlobalFoundries）

據格芯財報顯示，格芯現在一共有6家晶圓廠，其中包括4座12英寸晶圓廠，2座8英寸晶圓廠。

12英寸晶圓廠分別是Fab 1、Fab 7、Fab 8、FAB 10。位於德國德累斯頓的Fab 1，年產能為850k，工藝為22nm FDX、40nm NVM、28nm HV 、55nm BCDLite；Fab 7位於新加坡兀蘭，最初歸Chartered Semiconductor所有，年產能為720K；Fab 8位於紐約馬耳他，產能為570kwpa，主要生產工藝有FinFET、NVM、RF-SOI、SiPh；Fab 10位於美國紐約州東菲什基爾，這是從IBM收購得來的，以前被稱為 IBM 323 大樓，該廠的產能為150kwpa，主要工藝技術為HP CMOS、RF-SOI、SiPh。

圖源：格芯2022-Q1財報

8英寸晶圓廠分別是位於美國柏林頓的Fab 9，該廠年產能為620k，主要生產工藝為RF-SOI、SiGe；另外一家是位於新加坡的GIGA+，產能720kwpa，生產技術主要為BCD、HV、NVM、DDI等。

中芯國際（SMIC）

中芯國際在上海有一座12英寸晶圓廠，可生產12nm FinFET，月產能35K。在北京有兩家12英寸晶圓廠，其中Fab phase1 12英寸晶圓廠主要生產0.18µm~55nm的產品，月產能為60K；Fab Phase 2能生產65nm~24nm的晶圓，月產能為100K。

中芯國際上海還有一座8英寸晶圓廠，主要生產工藝為0.35µm~90nm 的晶圓，月產能為135K。位於天津的8英寸晶圓廠，生產工藝為0.35µm~90nm，月產能為180K。位於深圳的8英寸晶圓廠，主要生產工藝為0.35µm~0.15µm，月產能為70K。

華虹半導體（HuaHong Group）

華虹半導體是功率半導體和分立器件的代工廠，擁有嵌入式非易失性存儲器（“eNVM”）的專業工藝平台，可為電源分立、模擬和電源管理以及邏輯和射頻等芯片代工，能在1.0μm至65/55nm技術節點上提供廣泛的可定製工藝選擇。

華虹半導體目前在上海金橋和張江的華虹集團內運營着三個8英寸晶圓廠，分別是HH Fab1、HH Fab2 和 HH Fab3，每月8英寸晶圓總產能約為180,000片。無錫國家高新技術產業開發區還有一個12英寸晶圓製造廠HH Fab7，計劃月產能4萬片12英寸晶圓，涵蓋從65/55到90nm的技術節點，支持物聯網等新興領域的應用。HH Fab7於2019年正式入駐並投產，已成為中國大陸領先的專用工藝12英寸半導體生產線，也是全球首家專注於功率分立半導體的12英寸晶圓代工廠。

力積電（PowerChip）

目前擁有2座8英寸及3座12英寸晶圓廠，主要進行先進存儲、客製化邏輯IC電路與分離式元件的三大晶圓代工服務。

2008年巨晶電子股份有限公司成立，取得母公司力晶科技的8英寸晶圓廠8A，2015年8英寸晶圓廠8AD廠量產。2016年巨晶電子在竹南科學園區建立八英寸晶圓功率元件產線，此為8B廠。2018年巨晶電子更名為力晶積成電子製造股份有限公司(簡稱力積電)，這一年8B廠量產。

2019年5月，力積電增資收購母公司力晶科技的12英寸晶圓P1、P2、P3廠及相關營業資產。力晶P1廠是當時台灣第一座為製造先進存儲器而量身打造的十二英寸晶圓廠，於2002年10月進入量產。2003年10月力晶興建第二座12英寸晶圓廠（P2廠），2006年2月興建第三座12英寸晶圓廠（P3廠）。

圖源：力積電

Tower Semiconductor

Tower Semiconductor專門為製造差異化產品提供定製模擬解決方案，提供尖端工藝技術，包括射頻 (RF)、高性能模擬 (HPA)、集成電源管理、CMOS 圖像傳感器 (CIS)、非成像傳感器 (NIS)和混合信號 CMOS，以及微機電系統 (MEMS) 功能。

Tower Semiconductor 在三個地區運營着七個晶圓廠：1個6英寸晶圓廠，5個8英寸晶圓廠，1個12英寸晶圓廠。分別是位於以色列 Migdal Haemek 的兩個晶圓廠（6英寸和8英寸），；美國的兩個12英寸晶圓廠（加利福尼亞州紐波特海灘和德克薩斯州聖安東尼奧）；並且，通過與位於日本的松下半導體合作，增加了三個晶圓廠（兩個 8英寸和一個 12英寸）。

同時，2021年6月，意法半導體將Tower 引入意大利正在建設的Agrate R3 300mm模擬和功率晶圓廠。ST 將共享 R3 的潔淨室，Tower 將在總空間的三分之一處安裝自己的設備。該工廠預計將於今年晚些時候準備好進行設備安裝，並於 2022 年下半年開始生產。運營將繼續由 ST 管理，選定的Tower人員將借調到 ST 擔任特定角色，以支持晶圓廠認證和產量提升。Tower將在此晶圓廠生產65nm的模擬射頻、電源、顯示器等產品。

世界先進（VLS)

世界先進於1994年12月5日在新竹科學園區設立。1999 年世界先進在台積電協助下，成功導人邏輯產品代工技術。2000年世界先進正式宣佈由DRAM廠轉型為晶圓代工公司。2004年7月世界先進正式結束 DRAM 生產製造，成功轉型為百分之百的晶圓代工公司。主要代工邏輯、混合信號、高壓、超高壓、BCD、SOI、eNVM等標準化和定製化製程。

世界先進擁有共五座8英寸晶圓廠，其中四座位於台灣、一座位於新加坡，2020年年產能約為290萬片8英寸晶圓。2008年世界先進購入華邦電子的8英寸晶圓廠，為世界先進晶圓二廠；2004年世界先進公司購入南亞科技的8英寸晶圓廠房並承接勝普電子之機器設備，為世界先進晶圓三廠；2020年世界先進公司購入格芯公司新加坡Fab 3E8英寸晶圓廠，為世界先進新加坡晶圓廠；2022年世界先進購入友達光電L3B廠廠房及廠務設施，為世界先進晶圓五廠。

圖源：世界先進

東部高科（DB HiTek）

1997年東部高科正式進軍半導體產業，2001年，東部高科成為韓國最早進軍系統半導體代工事業的公司，2008年全球首度研發出0.18um BCDMOS(複合高壓元件)工藝技術等，積極攻佔專業代工(Foundry)領域。2010年模擬、電源、混合信號等在代工領域居世界首位.

東部高科目前有2家8英寸晶圓廠，在京畿道富川的Fab 1和忠北陰城的Fab 2可生產從90納米至0.35微米級工藝產品。Fab1以0.15到0.35微米級技術為基礎，主要生產模擬及功率半導體等尖端系統半導體。Fab2以90納米至0.18微米級技術為基礎，主要生產CMOS圖像傳感器，Mixed-Signal等尖端系統半導體。公司每月產能為138,000片。

圖源：東部高科

穩懋半導體（WIN）

穩懋半導體成立於1999年，位於林口華亞科技園區，是全球首座以6英寸晶圓生產砷化鎵微波集成電路（GaAs MMIC）的專業晶圓代工服務公司。在台灣桃園市擁有三座最先進的生產線與廣泛的技術能力，能夠提供客户最佳品質的HBT、pHEMT 、BiHEMT 離散元件/微波集成電路與後端製程的晶圓代工服務。在無線寬頻通訊的微波高科技領域中，穩懋目前提供兩大類砷化鎵電晶體制程技術：異質接面雙極性電晶體(HBT)和應變式異質接面高遷移率電晶體(pHEMT)，二者均為最尖端的製程技術。在光通訊及3D感測領域中，穩懋更以MMIC生產技術為基礎，提供光電產品的開發與生產製造。

1999年12月，穩懋的晶圓A廠建廠開始，2000年成功的產出全球第一片6英寸的0.15微米pHEMT MMIC 晶圓。2007年4月，穩懋購置晶圓B廠土地及廠房，2008年4月，晶圓B廠正式量產啟用。2015年4月，晶圓C廠正式量產啟用。2018年穩懋的年產能已超過三十四萬片以上。

寫在最後

未來隨着這些專屬代工廠的不斷增資擴產建新廠，更多新廠還在路上。例如台積電的美國亞利桑那州菲尼克斯市晶圓製造工廠已開工建設，將採用5納米制程技術，並且還要在日本建廠。2021年格芯宣佈了60億美元的新建工廠計劃，包括新加坡40億美元增建12英寸Module 7H，未來還將在紐約馬耳他建設一座年產能50萬片12英寸晶圓的新工廠。