一、由單純追求先進工藝->迴歸成熟工藝（「新90/55nm」遠大於「舊7nm」）

中芯國際進入實體名單後，完全基於美系設備的7nm其現實意義遠小於基於國產設備的成熟工藝，晶圓代工廠並不是半導體的最底層技術，只是芯片設備、材料、工藝的集成商。中國半導體的主要矛盾已經從缺少先進工藝調教，轉移到缺少國產半導體設備、材料。

中國缺少14/7/5nm先進工藝，但是中國同樣也缺少13um/90/65/55nm成熟工藝，韋爾豪威的CIS芯片（55/45nm)、兆易創新的NOR（55/45nm）、匯頂的指紋識別（55nm）、卓勝微/思瑞浦/聖邦的模擬芯片（90nm上下）都需要成熟工藝產能。從目前產業看，中國能實現光伏、LED、LCD面板的全面國產替代，成熟製程芯片也能依靠國產設備、材料、工藝進行生產。

美系藉助根技術優勢將繼續打擊他國並把持高端製程、先進工藝的芯片製造，並且這種局面短期不會發生扭轉。我們預計，低緯度國產替代進程將持續下去，中國將從下而上把持泛半導體技術。在根技術，如設備、材料領域得到長足進步前，先做好成熟工藝回爐再造，再逐步向上攻克先進工藝壁壘，螺旋發展。

迴歸基於國產設備的成熟工藝再造，是中國半導體當下最現實的任務，完全基於美系設備的7nm其現實意義遠小於基於國產技術的55nm晶圓廠。服務好國內這些成熟工藝的fabless，其現實意義也大於客戶基礎小的多的FinFET工藝。

二、由單純外循環->內外雙循環（去A化，而不是國產化）

全球科技格局將重新洗牌，呈現逆全球化的返祖狀態。即使強如美國也只參與了半導體產業的小部分環節，中、歐、日、美、韓、中國臺灣，各自佔據了產業鏈不可或缺的部分。

半導體是一個充分全球化分工的行業，沒有哪個國家能單獨實現全部內循環，所以半導體行業沒有所謂的全鏈路國產化，而在部分關鍵領域實現去美化、去A化的基礎就是聯合歐洲、日本的設備和材料以及韓國、中國臺灣省的製造。

而美國以高端製造業爲根基，向下補全短板。第三象限指的是日本（材料）、韓國（存儲）、歐洲（設備）、中國臺灣省（代工），依靠在細分行業的領先優勢，獨立在中國、美國內循環外，成爲全球硬科技市場外循環的中間介質。

依據自身發展的資源稟賦以及要素分佈，將全球硬科技分成三大象限：

第一象限：以美國爲主導；

第二象限：以中國大陸爲主導；

第三象限：以韓國，日本，中國臺灣省，歐洲爲主導（中間介質）。

受到外部環境壓力，中國的本土Fabless、Fab都面臨上遊供應鏈危機，但中國自主發展的道路不會因爲外部打壓而改變。隨着內循環政策提出，未來中國以成熟Fab爲根基，跟第三象限進行外循環。

1、成熟工藝=內循環爲主+外循環爲輔

2、先進工藝=外循環爲主+內循環爲輔

基於全球產業客觀規律，我們認爲中美在以下環節的科技外循環仍將繼續：

1、設備：與歐洲、日本這些「中間介質」進行設備外循環，但是要在美系的ETCH、PVD、CVD、CLEAN、CMP、ANNEAL等領域進行國產設備內循環（北方華創、屹唐、盛美、華海、萬業、中微、至純、精測等）；

我們將設備公司分爲：生態級、平臺級、產品級三類。平臺化是全球半導體巨頭的必經之路，全球半導體設備的大部分份額都被少數幾家（應用材料、LAM、TEL等）把持。

通過分析巨頭的成長之路，我們總結出半導體設備的兩大必然趨勢：

1）產品的平臺化：前道工藝設備全覆蓋（除光刻、量測設備外）；

2）泛半導體領域全覆蓋：泛半導體技術的同源性導致了產品矩陣必須要擴充到LCD、LED、第三代半導體等多重領域。

基於以上分析，我們將未來國產半導體設備市場的格局定義爲：「一超四霸多強」：

1）平臺級：北方華創（刻蝕機、PVD、清洗機、CVD、ALD、氧化、退火、MFC）；

2）準平臺級：屹唐半導體、盛美半導體；

3）單產品級：瀋陽拓荊、上微、中微、萬業企業、華海清科、中科飛測、中科信、華峯測控、精測電子、至純科技。他們共同構成了整個中國半導體的底層生態。

2、材料：與日本、歐洲這些「中間介質」進行材料外循環（大硅片、光刻膠等），在各種大硅片、電子氣體、電子化學品、濺射靶材等領域進行國產材料內循環（中環、滬硅、立昂、雅克、晶瑞、江豐電子等）；

3、IP/EDA：與美國的（ARM、Synopsys、Cadence等）進行軟件生態外循環，但是國內也在各種新場景、新應用的EDA和IP領域進行內循環（華大九天、芯願景、廣立微、芯禾科技、芯原股份）；

4、Fab/IDM：與韓國的存儲芯片、中國臺灣省的晶圓代工進行外循環，在國內依靠自建成熟工藝的晶圓廠和IDM繼續內循環（中芯、華虹、長存、長鑫、華潤微、士蘭微、捷捷、揚傑、格科微、集創）。

所以未來中國將維持最低內循環在成熟工藝進行底層根技術（設備、材料、EDA/IP )的自主創新，回顧中國泛半導體發展之路，未來數年，我們認爲中國半導體將在儘可能內循環的基礎上依賴外循環，實現雙循環體系。

三、由技術突破爲主導->產能擴充爲主導

中芯國際承擔着三種任務：

1、先進工藝的研發和突破，比如FinFET 14/7nm；

2、存量產能的運營和生產，主要是中芯北京、上海和天津、深圳各個廠區；

3、新增產能的擴張，基於已有量產工藝技術的產能擴張，主要是成熟工藝。

由於種種原因，本應該放在第一優先級的成熟新產能擴張未能得到充分執行。中芯國際北京合資線幾經挫折終於在2020年末正式資金到位，但此時全球已經爆發了以8寸和12寸成熟工藝爲主的產能危機。

中國龐大Fabless行業面對全球晶圓廠代工產能的緊張，本土並沒有強力的產能後備軍，根據中芯國際招股說明書以及IC insight數據，中芯國際的摺合8寸片月產能約爲40萬片，遠低於臺積電約270萬片的月產能，而根據華虹官網數據，國內排名第二的華虹半導體月產能僅有22萬片。

未來中芯國際的三大任務中，通過擴產滿足國產Fabless需求並提供安全可控的代工服務爲第一要務，維護存量產能正常運營爲第二要務，至於在先進工藝的突破，這不是公司個體所能及，而是要通盤聯合國內半導體設備、材料、IP/EDA廠商一起合作，共同突破的系統性工程。

所以蔣尚義的迴歸和中芯國際大幅上修成熟工藝Capex，符合這個產業大趨勢，是中芯國際面對全新國際形式和條件約束（美國設備的制裁）的正確且必然的選擇。

1、產能爲王：產能成爲這個時期最確定的機會，晶圓廠成爲所有下遊創新的底盤。

2、設備先行：漲價的背後是缺貨，缺貨的背後是擴產大潮將至，設備將迎來一輪強勁增長。

3、產能本土：與以往基於全球化背景下的產能擴產週期不同，此次產能擴充將會在國產化和去A化的大框架下運行。

四、建議關注三大機會

1、晶圓廠製造的機會：中芯國際、華潤微、長電科技、聞泰科技、華虹半導體、士蘭微、捷捷微電、揚傑、深科技、晶方科技、通富、華天、TCL、京東方、三安集成；

2、設備擴產的機會：北方華創、屹唐半導體、盛美半導體、萬業、華峯測控、長川、至純、大族、華海、中微、精測、晶盛；

3、材料本土化的機會：中環股份、滬硅產業、立昂微、江豐電子、雅克科技、晶瑞股份、杉杉、三利譜、安集科技、神工股份。